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靜態(tài)電容量（PF）

靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

響應時間τ

IEEE定義的壓敏電阻的響應時間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對8/20 μs標準雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應時間τ＝0。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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非線性區(qū)域：

中電場區(qū)為非線性區(qū)域，也是壓敏電阻器應用中重要的區(qū)域，導電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應J = J0exp(-λ/E)，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度，算出的a值低于50。

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